Центральная Научная Библиотека  
Главная
 
Новости
 
Разделы
 
Работы
 
Контакты
 
E-mail
 
  Главная    

 

  Поиск:  

Меню 

· Главная
· Биология
· Геология
· Зоология
· Коммуникации и связь
· Бухучет управленчучет
· Водоснабжение   водоотведение
· Детали машин
· Инновационный   менеджмент
· Качество упр-е   качеством
· Маркетинг
· Математика
· Мировая экономика МЭО
· Политология
· Реклама и PR
· САПР
· Биология и химия
· Животные
· Литература   языковедение
· Менеджмент
· Не Российское   законодательство
· Нотариат
· Информатика
· Исторические личности
· Кибернетика
· Коммуникация и связь
· Косметология
· Криминалистика
· Криминология
· Наука и техника
· Кулинария
· Культурология
· Логика
· Логистика
· Международное   публичное право
· Международное частное   право
· Международные   отношения
· Культура и искусства
· Металлургия
· Муниципальноое право
· Налогообложение
· Оккультизм и уфология
· Педагогика


Анализ стробоскопического преобразователя частоты

Анализ стробоскопического преобразователя частоты

Анализ стробоскопического преобразователя частоты

Д.В.Федосов, Омский Государственный Технический Университет, кафедра радиоэлектроникии техники СВЧ 

Стробоскопическое преобразование сигналов широко применяется в экспериментальной физике, осциллографии для исследования переходных процессов в полупроводниковых приборах. Хорошо известен анализ кольцевого диодного стробпреобразователя, выполненный Н.С.Жилиным и В.А.Майстренко [1]. В основу этого анализа положена безынерционная эквивалентная схема полупроводникового диода, учитывающая лишь активное сопротивление базы p-n перехода. В рамках этой статьи будет предложен анализ стробпреобразователя с учетом инерционности полупроводникового диода, сделан выбор эквивалентной схемы диода, наиболее физически правильно отражающей переходные процессы, рассмотрена математическая модель и выполнен краткий анализ нелинейности выходного сигнала стробпреобразователя без обратной связи в диапазоне 10 Мгц-3 Ггц, а также представлен метод уменьшения уровня нелинейности.

1. Эквивалентная схема диода

Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1).

В отличие от других эквивалентных схем, в данной вместо диффузионной и барьерной емкости вводится накопитель заряда S. Это более правильно, чем введение формальных емкостей, так как накопитель заряда отражает наиболее точно физический процесс накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе диода.

 Анализ стробоскопического преобразователя частоты







Информация 






© Центральная Научная Библиотека